技術文章
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三菱功率模塊半導體器件系列 SiC-MOSFET SiC-MOSFET發揮新材料SiC的特性，能夠突破性地降低電源系統的功率損耗。 SiC-SBD SiC 分立器件發揮新材料SiC的特性，能夠突破性地降低...發布時間：2023-02-16 10:56 點擊次數：62 次
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英飛凌第7代IGBT7 英飛凌第7代IGBT7亮點 開發出的芯片由 IGBT 7 和 EC（發射極 - 控制）7二極管組成，能*好地滿足變頻通用驅動（GPD）的所有需求。 具有優良的控制能力，在...發布時間：2022-12-15 11:24 點擊次數：134 次
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新潔能功率半導體命名規則介紹 新潔能致力于推廣性能**、質量穩定并且**價格競爭力的全系列MOSFET產品。我們為電路設計師們提供**的產品選擇，擊穿電壓覆蓋-200V至300V，配合先進的封裝技術，為您提供100mA至400A的電流選擇范圍。我們...發布時間：2022-12-14 18:09 點擊次數：116 次
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Infineon英飛凌模塊選型參考 Infineon英飛凌模塊型號解讀 FZ：一單元模塊 FF：兩單元模塊(半橋模塊) FP：七單元模塊(功率集成模塊) FD/DF：斬波模塊 F4：四單元模塊 FS：六單元模塊 ...發布時間：2020-06-23 19:04 點擊次數：1833 次
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SEMIKRON賽米控IGBT模塊的命名規則 舉例：SKM100GB123D SK SK表示SEMIKRON的IGBT M 表示應用技術或者模塊結構： M——表示采用MOS技術 D——表示七單元模塊（即互相整流橋+1CBT斬波器） ...發布時間：2020-03-13 18:36 點擊次數：1851 次
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英飛凌IGBT模塊的檢測方法 英飛凌IGBT模塊有三個電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門極)、集電極C(亦稱漏極)及發射極E(也稱源極) 一、用指針式萬用表對英飛凌IGBT模塊場效應管進行判別 （1）用測電阻法判別英飛凌IGBT模塊結型場效應管的...發布時間：2019-06-06 12:23 點擊次數：2368 次
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IGBT逆變焊機基礎知識 IGBT逆變焊機基礎知識 一、關于逆變焊機 1、什么叫逆變焊機 采用逆變技術的弧焊電源稱為逆變焊機。逆變過程需要大功率電子開關器件，采用IGBT作為開關器件的逆變焊機稱為IGBT逆變焊機。 2、逆變焊機工...發布時間：2019-01-01 14:37 點擊次數：1772 次
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IGBT和替換品碳化硅到底是什么？ 一直以來，很多人都認為新能源汽車的關鍵是電池，甚至“三電”之中，電池始終排在**位，但事實上，新能源汽車，尤其是中國新能源汽車發展*有提升空間的，當屬驅動電機。 2018年12月16日，在中國電動汽車百人會論壇媒體...發布時間：2018-12-28 14:28 點擊次數：1628 次
